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8~12GHz 150W GaN MMIC

所属栏目:半导体/MMC/IC

发布时间:2024-11-15

关注度:36次

简单介绍:HYPA08001200P52P是一款工作频率为8000至12000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供52 dBm(150 W)的输出功率,PAE为40%,在50V电源下具有24 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试

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HYPA08001200P52P是一款工作频率为8000至12000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供52 dBm(150 W)的输出功率,PAE为40%,在50V电源下具有24 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试

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