产品中心
联系我们
联系人:
手机:+86 13880797786
电话:+86 18982118925
邮箱:sale@hy-mwtech.com
地址:成都高新区百草路898号2栋1楼
8~12GHz 150W GaN MMIC
所属栏目:半导体/MMC/IC
发布时间:2024-11-15
关注度:36次
简单介绍:HYPA08001200P52P是一款工作频率为8000至12000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供52 dBm(150 W)的输出功率,PAE为40%,在50V电源下具有24 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试
HYPA08001200P52P是一款工作频率为8000至12000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供52 dBm(150 W)的输出功率,PAE为40%,在50V电源下具有24 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试