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5~6GHz 100W GaN MMIC

所属栏目:半导体/MMC/IC

发布时间:2024-11-15

关注度:34次

简单介绍:HYPA05000600P50P是一种工作频率为5000至6000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供50 dBm(100 W)的输出功率,55%的PAE,在50V电源下具有20 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试

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HYPA05000600P50P是一种工作频率为5000至6000 MHz的SiC基GaN功率放大器。它提供50 dBm(100 W)的输出功率,55%的PAE,在50V电源下具有20 dB的功率增益。该放大器采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)设计,提供高击穿电压、高效率和较低的散热。它具有完全匹配的输入和输出端口,可实现宽带性能,并支持基于专利技术的改进热处理。所有规格均在脉冲模式下进行测试

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